レーザを用いた活性化アニール、オーミック化アニール、薄膜エッチング、ノズル加工、ビア加工、ケーブル加工、コネクタ溶接等のレーザプロセス装置メーカ【フェトン】

• 裏面のみの熱処理により、表面に熱ダメージを与えません
• 2波長レーザアニールにより、アニール深さを1～10μmの範囲でコントロールが可能
• 連続発振レーザと、回転テーブルの組合せにより、高スループットを実現

2波長レーザアニール

Siに対する光の侵入深さは、波長に依存します。
侵入長が約1μmと約10μmのレーザを同時に照射することにより厚さ100μm以下のSiウェーハに対しても、レーザ非照射面の温度を200℃以下に保ったまま、レーザ照射面の深さ数μmの領域をドーパントの活性化に必要な温度まで昇温することが可能です。

1.裏面のみの熱処理

SHG-YVO₄とLDの、2種類のレーザが搭載されており、それらを同時照射することにより、以下の特性が得られます。

1. 約10μm以下深さで、種々の不純物プロファイルの活性化に対応。
2. 100μm厚以下のウェハ処理が可能。
3. 裏面アニール時の表面温度を200℃以下に保持。

2.高スループットプロセス

CW SHG-YVO₄レーザ(波長532nm)とCW半導体レーザ(波長797nm)、線速度一定制御の回転ステージにより、表面を低温に保持したまま、高スループットで裏面数μmの活性化アニールを実現します。